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IXFH10N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD

IXFH10N80P Technisches Datenblatt

compliant

IXFH10N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $3.26267 $97.8801
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STW18NM80
STW18NM80
$0 $/Stück
NTMS4177PR2G
NTMS4177PR2G
$0 $/Stück
IPP65R125C7
ZVN4306AV
ZVN4306AV
$0 $/Stück
IXFT220N20X3HV
IXFT220N20X3HV
$0 $/Stück
SUD40N10-25-E3

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