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IXFH110N25T

IXFH110N25T

IXFH110N25T

IXYS

MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD

IXFH110N25T Technisches Datenblatt

compliant

IXFH110N25T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.45300 $163.59
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 157 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 694W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF820SPBF
IRF820SPBF
$0 $/Stück
DMN5040LSS-13
IXFN26N90
IXFN26N90
$0 $/Stück
SI3440ADV-T1-GE3
NDS335N
TPH3208PS
TPH3208PS
$0 $/Stück
SUD25N15-52-T4-E3
BUK763R1-60E,118

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