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IXFH120N15P

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IXYS

MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD

IXFH120N15P Technisches Datenblatt

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IXFH120N15P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.51467 $165.4401
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STP3LN80K5
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IRFZ20PBF
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$0 $/Stück
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IRFR220PBF
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