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IXFH12N100P

IXFH12N100P

IXFH12N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

IXFH12N100P Technisches Datenblatt

compliant

IXFH12N100P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.26867 $158.0601
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 463W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI8465DB-T2-E1
FDU6N50TU
SISS66DN-T1-GE3
TN2425N8-G
BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
$0 $/Stück
STW70N60DM6-4
BUK9M6R6-30EX
AUIRF7640S2TR

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