Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

IXFH12N100Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFH12N100Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $12.43200 $621.6
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RSD220N06TL
IRF7468TR
2N6796
2N6796
$0 $/Stück
IXFH14N60P3
IXFH14N60P3
$0 $/Stück
IXTV60N30T
IXTV60N30T
$0 $/Stück
SI4362BDY-T1-E3
FDPF17N45T
FDPF17N45T
$0 $/Stück
IPB80N04S2-H4
IRFZ48VPBF

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.