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IXFH14N85X

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IXYS

MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3

IXFH14N85X Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFH14N85X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.58000 $6.58
30 $5.28767 $158.6301
120 $4.81750 $578.1
510 $3.90100 $1989.51
1,020 $3.29000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 850 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 550mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1043 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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