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IXFH30N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD

IXFH30N50P Technisches Datenblatt

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IXFH30N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.16600 $154.98
195 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFB7546PBF
PXP018-20QXJ
SIA431DJ-T1-GE3
FDP20N50F
FDP20N50F
$0 $/Stück
PSMN021-100YLX
SI7112DN-T1-E3
MTP5N40E
MTP5N40E
$0 $/Stück
STP22N60DM6

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