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IXFH30N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

IXFH30N60P Technisches Datenblatt

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IXFH30N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.00667 $180.2001
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTGS3443T1G
NTGS3443T1G
$0 $/Stück
NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC
$0 $/Stück
NTE2398
NTE2398
$0 $/Stück
IXFK170N20T
IXFK170N20T
$0 $/Stück
IPP65R600C6
AUIRFP2907

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