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IXFH36N55Q

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IXFH36N55Q

IXYS

MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD

IXFH36N55Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFH36N55Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $11.32200 $339.66
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 550 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF6728MTRPBF
SI1046R-T1-GE3
IXTQ98N20T
IXTQ98N20T
$0 $/Stück
R6030ENZ1C9
IRF9630STRR
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$0 $/Stück
IXFH26N60Q
IXFH26N60Q
$0 $/Stück
STD37P3H6AG

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