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IXFH60N60X

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

IXFH60N60X Technisches Datenblatt

compliant

IXFH60N60X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
60 $9.63500 $578.1
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFB4110GPBF
FDFS2P106A
FDFS2P106A
$0 $/Stück
DMPH6250SQ-13
BUK9219-55A,118
IRFU7440PBF
DMP2215L-7
BUK6209-30C,118
BUK6209-30C,118
$0 $/Stück

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