Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD

IXFH6N100Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFH6N100Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $9.33000 $9.33
30 $7.64667 $229.4001
120 $6.90050 $828.06
510 $5.78151 $2948.5701
1,020 $5.22200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FQB5N30TM
FQB5N30TM
$0 $/Stück
STE140NF20D
IRFB7434GPBF
RFP2N10L
RFP2N10L
$0 $/Stück
IPB260N06N3G
MCP04N80-BP

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.