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IXFH90N20X3

IXFH90N20X3

IXFH90N20X3

IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO247

IXFH90N20X3 Technisches Datenblatt

compliant

IXFH90N20X3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.40000 $6.4
30 $5.24800 $157.44
120 $4.73600 $568.32
510 $3.96800 $2023.68
1,020 $3.58400 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.8mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5420 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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