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IXFK100N10

IXFK100N10

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA

IXFK100N10 Technisches Datenblatt

compliant

IXFK100N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
25 $17.85000 $446.25
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK)
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

IPW60R165CP
SIB417AEDK-T1-GE3
NVMFS5A140PLZT1G
NVMFS5A140PLZT1G
$0 $/Stück
STP11NM60FP
FDFM2P110
SI4378DY-T1-E3
PMPB25ENEAX
PMPB25ENEAX
$0 $/Stück

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