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IXFN100N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

IXFN100N20 Technisches Datenblatt

compliant

IXFN100N20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $22.20000 $222
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 380 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

ZVP4525GTC
NTR4502PT3G
NTR4502PT3G
$0 $/Stück
BSP149 E6327
STB85NF3LLT4
SI4409DY-T1-E3
MMBF170-7
MMBF170-7
$0 $/Stück

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