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IXFN106N20

IXFN106N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

IXFN106N20 Technisches Datenblatt

compliant

IXFN106N20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $25.20000 $25.2
10 $23.31000 $233.1
30 $21.42000 $642.6
100 $19.90800 $1990.8
250 $18.27000 $4567.5
500 $17.38800 $8694
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 106A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 380 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 521W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRFB16N50KPBF
IPB021N06N3G
NTD4808N-1G
NTD4808N-1G
$0 $/Stück
IRFBC40LC
IRFBC40LC
$0 $/Stück
MTB52N06VL
MTB52N06VL
$0 $/Stück
SIR168DP-T1-GE3
SI7459DP-T1-GE3
STB12NM50N
STB12NM50N
$0 $/Stück
DMG8880LSS-13

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