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IXFN140N20P

IXFN140N20P

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

IXFN140N20P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN140N20P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $21.32000 $21.32
10 $19.38000 $193.8
25 $17.92640 $448.16
100 $16.47300 $1647.3
250 $15.01952 $3754.88
500 $14.05050 $7025.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 115A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V, 15V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 680W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

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$0 $/Stück
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IXFH30N85X
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$0 $/Stück
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