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IXFN180N10

IXFN180N10

IXFN180N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

IXFN180N10 Technisches Datenblatt

compliant

IXFN180N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $27.14000 $27.14
10 $25.10500 $251.05
30 $23.06900 $692.07
100 $21.44060 $2144.06
250 $19.67652 $4919.13
500 $18.72660 $9363.3
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

FQU4P25TU
IPS03N03LA G
IXTC200N10T
IXTC200N10T
$0 $/Stück
STN2NE10L
STN2NE10L
$0 $/Stück
NTD60N02RT4
NTD60N02RT4
$0 $/Stück
IRLU2905ZPBF
FDS8812NZ
FDS8812NZ
$0 $/Stück
SIHB22N60S-GE3
FQP2N40
FQP2N40
$0 $/Stück

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