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IXFN230N20T

IXFN230N20T

IXFN230N20T

IXYS

MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B

IXFN230N20T Technisches Datenblatt

compliant

IXFN230N20T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $27.20000 $27.2
10 $25.16000 $251.6
30 $23.12000 $693.6
100 $21.48800 $2148.8
250 $19.72000 $4930
500 $18.76800 $9384
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 220A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 378 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 28000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1090W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

STFI34N65M5
AUIRFS3306TRL
STP75NS04Z
STP75NS04Z
$0 $/Stück
FCA35N60
FCA35N60
$0 $/Stück
IRFP254B
SPB10N10LG
CSD17381F4
CSD17381F4
$0 $/Stück
FCP165N60E
FCP165N60E
$0 $/Stück
GC20N65T
GC20N65T
$0 $/Stück

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