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IXFN24N100

IXFN24N100

IXFN24N100

IXYS

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

SOT-23

IXFN24N100 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN24N100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $33.86000 $33.86
10 $31.32100 $313.21
30 $28.78100 $863.43
100 $26.74940 $2674.94
250 $24.54852 $6137.13
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 267 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 568W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

STW21N65M5
STW21N65M5
$0 $/Stück
SUM90100E-GE3
APT20M22LVRG
CSD17308Q3
CSD17308Q3
$0 $/Stück
SIHP21N60EF-BE3
FCD5N60TM-WS
FCD5N60TM-WS
$0 $/Stück
APT8024LFLLG
IRFS4228PBF
FQPF11N50CF
FQPF11N50CF
$0 $/Stück

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