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IXFN26N100P

IXFN26N100P

IXFN26N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

IXFN26N100P Technisches Datenblatt

compliant

IXFN26N100P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $38.40600 $384.06
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 197 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 595W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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