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IXFN30N120P

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IXYS

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

IXFN30N120P Technisches Datenblatt

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IXFN30N120P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $44.01100 $440.11
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 19000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

FDA28N50F
FDA28N50F
$0 $/Stück
NTB190N65S3HF
NTB190N65S3HF
$0 $/Stück
R6020PNJFRATL
SCTH90N65G2V-7
STD5NM60-1
STD5NM60-1
$0 $/Stück
IRF6619TR1PBF
NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7
$0 $/Stück
BUK9612-55B,118

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