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IXFN36N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

IXFN36N100 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN36N100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $53.85000 $53.85
10 $50.36000 $503.6
30 $46.57600 $1397.28
100 $43.66500 $4366.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 380 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2
$0 $/Stück
SIHB24N65E-GE3
RRH140P03GZETB
2SK3019TL
2SK3019TL
$0 $/Stück
SISH615ADN-T1-GE3
IRFR120TRRPBF-BE3
NTD4970N-1G
NTD4970N-1G
$0 $/Stück
PSMN005-75B,118

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