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IXFN36N60

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

IXFN36N60 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN36N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $30.34000 $30.34
10 $28.06500 $280.65
30 $25.78900 $773.67
100 $23.96860 $2396.86
250 $21.99652 $5499.13
0 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 325 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

AUIRLR3114Z
FQD30N06LTF
FQD30N06LTF
$0 $/Stück
STP200NF04L
RTF020P02TL
STB21NM50N
STB21NM50N
$0 $/Stück
SPI10N10L
PH5030AL,115

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