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IXFN40N90P

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IXYS

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B

IXFN40N90P Technisches Datenblatt

compliant

IXFN40N90P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $28.02800 $280.28
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 210mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 695W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

NDS355AN
NDS355AN
$0 $/Stück
STD5P06VT4
STD5P06VT4
$0 $/Stück
SISA72DN-T1-GE3
PMDPB760EN115
PMDPB760EN115
$0 $/Stück
FDMS8460
FDMS8460
$0 $/Stück
FQI5N15TU
SIS892ADN-T1-GE3

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