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IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

IXYS

MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B

IXFN62N80Q3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN62N80Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $43.16000 $43.16
10 $40.36100 $403.61
100 $34.99500 $3499.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 49A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

NX138AKMYL
NX138AKMYL
$0 $/Stück
MSC035SMA070B4
IXTA28P065T
IXTA28P065T
$0 $/Stück
IRLL024NTRPBF
STW12N150K5
DMP3099LQ-7

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