Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

IXYS

MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B

IXFN80N50Q3 Technisches Datenblatt

compliant

IXFN80N50Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $38.94000 $38.94
10 $36.02000 $360.2
100 $30.76260 $3076.26
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 780W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.