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IXFP130N10T

IXFP130N10T

IXFP130N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

IXFP130N10T Technisches Datenblatt

compliant

IXFP130N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.45000 $122.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMTH10H010SCT
RQ6C065BCTCR
STD20NF06T4
IRFSL7530PBF
IRLL110TRPBF-BE3
IRFP7718PBF
NTE222
NTE222
$0 $/Stück
NTTFS5C673NLTAG
NTTFS5C673NLTAG
$0 $/Stück
TPIC2202KC
TPIC2202KC
$0 $/Stück

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