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IXFP22N65X2M

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

SOT-23

nicht konform

IXFP22N65X2M Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.76760 $138.38
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2190 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Zugehörige Teilenummer

VN0300L-G
PSMN3R5-25MLDX
DMN2041L-7
DMP21D0UFB4-7B
IRF7780MTRPBF
NTMFS5H409NLT1G
NTMFS5H409NLT1G
$0 $/Stück
FQP6N80
STH240N10F7-2

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