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IXFP24N60X

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB

IXFP24N60X Technisches Datenblatt

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IXFP24N60X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $3.73500 $186.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 175mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1910 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS08N003C
NTMFS08N003C
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IXFP36N30P3
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$0 $/Stück
IXFH50N50P3
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STP45N60DM2AG
NTMFS4937NCT3G
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$0 $/Stück
R5016FNJTL
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FDB6670AL
STL50N6F7
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