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IXFP4N85XM

IXFP4N85XM

IXFP4N85XM

IXYS

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220

IXFP4N85XM Technisches Datenblatt

compliant

IXFP4N85XM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.48000 $2.48
50 $2.00000 $100
100 $1.80000 $180
500 $1.40000 $700
1,000 $1.16000 -
2,500 $1.12000 -
5 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 850 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 247 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMP3056LDM-7
IRF7820TRPBF
SUM70030M-GE3
SIDR626DP-T1-RE3
C3M0120090J-TR
STP90N6F6
STP90N6F6
$0 $/Stück
SIR172ADP-T1-GE3

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