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IXFR200N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

IXFR200N10P Technisches Datenblatt

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IXFR200N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.69300 $320.79
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 133A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTA380N036T4-7
IXTA380N036T4-7
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2N7002
2N7002
$0 $/Stück
DMP6350SQ-13
C2M0160120D
C2M0160120D
$0 $/Stück
FDD9411-F085
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$0 $/Stück
CSD25310Q2T
CSD25310Q2T
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