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IXFR32N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247

IXFR32N80P Technisches Datenblatt

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IXFR32N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.36000 $310.8
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

RSS095N05HZGTB
SUP50010E-GE3
ATP405-TL-H
ATP405-TL-H
$0 $/Stück
NTP4302
NTP4302
$0 $/Stück
PMPB48EPAX
PMPB48EPAX
$0 $/Stück
IRF820PBF
IRF820PBF
$0 $/Stück
IRLR2703TRPBF
DMG3404L-13

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