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IXFT30N50Q3

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFT30N50Q3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFT30N50Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.68000 $11.68
30 $9.57367 $287.2101
120 $8.63950 $1036.74
510 $7.23851 $3691.6401
1,020 $6.53800 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 690W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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