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IXFT50N60P3

IXFT50N60P3

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

IXFT50N60P3 Technisches Datenblatt

compliant

IXFT50N60P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.76500 $202.95
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 94 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

FQP2P40-F080
FQP2P40-F080
$0 $/Stück
DMN6040SK3-13
APT8014L2FLLG
FQP19N10L
FQD4P40TM
FQD4P40TM
$0 $/Stück
BUK625R2-30C,118
FCH023N65S3L4
FCH023N65S3L4
$0 $/Stück

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