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IXFT80N08

IXFT80N08

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IXYS

MOSFET N-CH 80V 80A TO268

IXFT80N08 Technisches Datenblatt

compliant

IXFT80N08 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $12.06200 $361.86
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

IRF7853PBF
RTR030P02TL
ZXM61P02FTC
IRFZ44VS
IRL1104STRR
PH955L,115
PH955L,115
$0 $/Stück
STW220NF75
STW220NF75
$0 $/Stück

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