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IXFV30N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

IXFV30N50P Technisches Datenblatt

compliant

IXFV30N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS220
Paket / Koffer TO-220-3, Short Tab
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Zugehörige Teilenummer

IXTP32N20T
IXTP32N20T
$0 $/Stück
IRFBC40L
IRFBC40L
$0 $/Stück
IRFZ44L
IRFZ44L
$0 $/Stück
PHB110NQ06LT,118
PHB110NQ06LT,118
$0 $/Stück
IPI08CNE8N G
MMBF5434
MMBF5434
$0 $/Stück
FQB10N20TM
FQB10N20TM
$0 $/Stück
RRS110N03TB1
STH80N10F7-2

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