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IXFX120N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3

nicht konform

IXFX120N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.13000 $18.13
30 $15.24400 $457.32
120 $14.00800 $1680.96
510 $11.94800 $6093.48
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

SQS482ENW-T1_GE3
TPS1100PWR
TPS1100PWR
$0 $/Stück
NVTFS5116PLWFTAG
NVTFS5116PLWFTAG
$0 $/Stück
STB5N80K5
STB5N80K5
$0 $/Stück
FDS6689S
NTD4855N-35G
NTD4855N-35G
$0 $/Stück
PSMN2R2-40BS,118

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