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IXFX12N90Q

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IXYS

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3

IXFX12N90Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFX12N90Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.97000 $13.97
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IRLR014NTRR
STULED656
STULED656
$0 $/Stück
IPW90R800C3
BS7067N06LS3G
IRF7834TRPBF
SI7840BDP-T1-GE3
IXFH160N15T
IXFH160N15T
$0 $/Stück

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