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IXFX200N10P

IXFX200N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3

IXFX200N10P Technisches Datenblatt

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IXFX200N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.62000 $288.6
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

RTF015N03TL
SIR158DP-T1-RE3
BSP92PL6327
NVMFS5C628NWFT1G
NVMFS5C628NWFT1G
$0 $/Stück
IXFA72N20X3
IXFA72N20X3
$0 $/Stück
FDT86244
FDT86244
$0 $/Stück
R6011KNX
R6011KNX
$0 $/Stück
IRF730ASPBF
IRF730ASPBF
$0 $/Stück

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