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IXFX32N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3

IXFX32N80P Technisches Datenblatt

compliant

IXFX32N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.45367 $283.6101
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 270mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

NTD4813N-1G
NTD4813N-1G
$0 $/Stück
BUK652R6-40C,127
BUK652R6-40C,127
$0 $/Stück
NTMFS4849NT1G
NTMFS4849NT1G
$0 $/Stück
IXFQ72N30X3
IXFQ72N30X3
$0 $/Stück
SI7478DP-T1-GE3
BUK961R5-30E,118
BUK961R5-30E,118
$0 $/Stück

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