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IXFX360N10T

IXFX360N10T

IXFX360N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3

IXFX360N10T Technisches Datenblatt

compliant

IXFX360N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $8.65100 $259.53
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 360A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 525 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 33000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

R6007END3TL1
STL90N3LLH6
APT10M25BVRG
IPS050N03LG
IRF730ASTRLPBF
SIHU6N80E-GE3
DMN2990UFA-7B
NTP067N65S3H
NTP067N65S3H
$0 $/Stück

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