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IXFX420N10T

IXFX420N10T

IXFX420N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3

IXFX420N10T Technisches Datenblatt

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IXFX420N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $11.72900 $351.87
2 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 420A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 670 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 47000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1670W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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