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IXFX80N50Q3

IXFX80N50Q3

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3

IXFX80N50Q3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFX80N50Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $22.34000 $22.34
30 $18.98900 $569.67
120 $17.64858 $2117.8296
510 $15.63800 $7975.38
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

STU3N80K5
STU3N80K5
$0 $/Stück
STD5N20LT4
STD5N20LT4
$0 $/Stück
DMT10H010LCT
IXTA180N10T7
IXTA180N10T7
$0 $/Stück
FQU3N60TU
CSD25402Q3AT
FDB44N25TM
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$0 $/Stück

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