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IXFZ140N25T

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IXFZ140N25T

IXYS

MOSFET N-CH 250V 100A DE475

IXFZ140N25T Technisches Datenblatt

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IXFZ140N25T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
40 $20.96100 $838.44
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 19000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 445W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DE475
Paket / Koffer 6-SMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/Stück
APT40N60JCU3
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/Stück
TP2540N3-G
FDMC86116LZ
FDMC86116LZ
$0 $/Stück
ZXMN6A08GTA
IRFU120ATU
NTMFS4837NHT1G
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