Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXKC20N60C

IXKC20N60C

IXKC20N60C

IXYS

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

IXKC20N60C Technisches Datenblatt

nicht konform

IXKC20N60C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $6.02700 $301.35
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 114 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™
Paket / Koffer ISOPLUS220™
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI4497DY-T1-GE3
MCH6344-TL-H
MCH6344-TL-H
$0 $/Stück
SI4160DY-T1-GE3
APT5010B2LLG
SQJA68EP-T1_GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.