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IXKH35N60C5

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

IXKH35N60C5 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXKH35N60C5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $7.11367 $213.4101
261 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 1.2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2800 pF @ 100 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTA96P085T-TRL
IXTA96P085T-TRL
$0 $/Stück
IRFP3006PBF
SI3417DV-T1-GE3
SI6423DQ-T1-E3
PSMN6R4-30MLDX
IRLZ14STRLPBF
FDMS7680
FDMS7680
$0 $/Stück

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