Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXKN45N80C

IXKN45N80C

IXKN45N80C

IXYS

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

IXKN45N80C Technisches Datenblatt

nicht konform

IXKN45N80C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $34.75600 $347.56
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 74mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 380W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NVMFSW6D1N08HT1G
NVMFSW6D1N08HT1G
$0 $/Stück
R6020ENZ1C9
IXFH20N100P
IXFH20N100P
$0 $/Stück
SUM60N02-3M9P-E3
ZXMP6A13FQTA
BUK7905-40AI,127
IRF200P222

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.