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IXTA08N50D2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

IXTA08N50D2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTA08N50D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.86000 $1.86
50 $1.50000 $75
100 $1.35000 $135
500 $1.05000 $525
1,000 $0.87000 -
2,500 $0.84000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.7 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 312 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227
25P06
25P06
$0 $/Stück
RTR025N05HZGTL
IRFS350A
IXTA42N15T-TRL
IXTA42N15T-TRL
$0 $/Stück
R6524ENJTL
R6524ENJTL
$0 $/Stück
SIJ470DP-T1-GE3
ZDX050N50
ZDX050N50
$0 $/Stück

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