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IXTA170N075T2

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IXYS

MOSFET N-CH 75V 170A TO263

nicht konform

IXTA170N075T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.29500 $114.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 109 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6860 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDG326P
SI4368DY-T1-E3
APT8030LVRG
STF19NF20
STF19NF20
$0 $/Stück
IRF7456TRPBF
NTE2392
NTE2392
$0 $/Stück
IXTB62N50L
IXTB62N50L
$0 $/Stück

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