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IXTA18P10T

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IXYS

MOSFET P-CH 100V 18A TO263

IXTA18P10T Technisches Datenblatt

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IXTA18P10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.70000 $85
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQU4N50TU
IRF5801TRPBF
DMN3730UFB-7
SIHD6N65ET5-GE3
NDD03N50Z-1G
NDD03N50Z-1G
$0 $/Stück
SIA421DJ-T1-GE3
IXTP62N15P
IXTP62N15P
$0 $/Stück
DMP3056LSSQ-13
IRFR825TRPBF

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